Limite atual | 405 miliampères |
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Na resistência - máxima | 1,2 ohms |
Tensão de fonte do funcionamento | 0 V a 57 V |
Ciclo de dever - máximo | 78% |
Código da data | 22+ |
Categoria de produto | Amplificadores do isolamento |
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Montando o estilo | SMD/SMT |
Pacote/caso | SON-8 |
Tensão entrada, minuto | 2,9 V |
Tensão entrada, máxima | 6 V |
Detalhes da embalagem | Padrão/novo/original |
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Jogo do desenvolvimento | TPS53513EVM-587 |
Altura | 1 milímetro |
Comprimento | 4,5 milímetros |
Largura | 3,5 milímetros |
Tensão entrada | 3 V a 65 V |
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Tensão da saída | 3 V a 100 V |
Corrente de saída | 20 A |
Frequência de comutação | 50 quilohertz a 1 megahertz |
Código da data | 22+ |
Detalhes da embalagem | Padrão/novo/original |
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Avaliação da tensão | 4 VDC a 80 VDC |
Avaliação atual | 1,2 mA |
Pacote/caso | DFN-12 |
Temperatura de funcionamento | - ℃ 40 + ao ℃ 85 |
Detalhes da embalagem | Padrão/novo/original |
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Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte | 50 V |
Identificação - Corrente contínua do dreno | 160 miliampères |
RDS - na resistência da Dreno-fonte | 4 ohms |
Vgs - tensão da Porta-fonte | - 12 V, + 12 V |
Detalhes da embalagem | Padrão/novo/original |
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Pacote/caso | SOIC-8 |
Corrente de saída | 1,5 A |
Tensão de fonte - máxima | 24 V |
Temperatura de funcionamento | - 40 ℃ a + 150 ℃ |
Detalhes da embalagem | Padrão/novo/original |
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Categoria de produto | MOSFET |
Pacote/caso | D2PAK-3 |
Polaridade do transistor | N-canal |
Número de canais | 1 canal |
Detalhes da embalagem | Padrão/novo/original |
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Categoria de produto | MOSFET |
Tecnologia | Si |
Vgs - tensão da Porta-fonte | - 20 V, + 20 V |
Temperatura de funcionamento mínima | - ℃ 55 |
Categoria de produto | MOSFET |
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Tecnologia | Si |
Tipo de produto | MOSFET |
Subcategoria | MOSFETs |
Código da data | 22+ |