DMN55D0UT-7/SOT-523-3/MOSFET
Descrição
Este MOSFET é projetado minimizar a resistência do em-estado (o RDS (SOBRE)) no entanto para manter o desempenho de comutação superior, fazendo o ideal para aplicações da gestão do poder da eficiência elevada.
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Diodos incorporados | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-523-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 50 V | |
| 160 miliampères | |
| 4 ohms | |
| - 12 V, + 12 V | |
| 700 milivolt | |
| PC 295 | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 200 mW | |
| Realce | |
| DMN55 | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | Diodos incorporados |
| Configuração: | Único |
| Transcondutância dianteira - minuto: | Senhora 180 |
| Altura: | 0,75 milímetros |
| Comprimento: | 1,6 milímetros |
| Produto: | Sinal pequeno do MOSFET |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | 1 N-canal |
| Largura: | 0,8 milímetros |
| Peso de unidade: | 0,000071 onças |
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