REF02BU/SOIC-8/gestão CI do poder
Descrição
Este MOSFET de alta tensão do poder do N-canal é parte da série rápida do diodo da recuperação de MDmesh™ DM2. Oferece a carga muito baixa da recuperação (Qrr) e a hora (trr) combinada com o baixo RDS (sobre), tornando a apropriada para os conversores e o ideal de exigência da eficiência elevada para conversores das topologias da ponte e do fase-deslocamento de ZVS.
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| D2PAK-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 600 V | |
| 34 A | |
| 93 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 3 V | |
| 56 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 250 W | |
| Realce | |
| AEC-Q101 | |
| MDmesh | |
| STB45N60DM2AG | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | STMicroelectronics |
| Configuração: | Único |
| Tempo de queda: | 6 ns |
| Altura: | 4,6 milímetros |
| Comprimento: | 10,4 milímetros |
| Produto: | MOSFETs do poder |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de elevação: | 27 ns |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 1000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | 1 MOSFET do poder do N-canal |
| Tipo: | Alta tensão |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora: | 85 ns |
| Tempo de atraso de ligação típico: | 29 ns |
| Largura: | 9,35 milímetros |
| Peso de unidade: | 0,139332 onças |
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