REF02BU/SOIC-8/gestão CI do poder
Características
• Projetado para aplicações automotivos e AEC-Q101 qualificou
• diodo do corpo da Rápido-recuperação
• Extremamente - baixas carga da porta e capacidade da entrada
• Baixa em-resistência
• a avalancha 100% testou
• Aspereza extremamente alta de dv/dt • Zener-protegido
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
STMicroelectronics | |
Categoria de produto: | MOSFET |
Si | |
SMD/SMT | |
D2PAK-3 | |
N-canal | |
1 canal | |
600 V | |
34 A | |
93 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
3 V | |
56 nC | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
250 W | |
Realce | |
AEC-Q101 | |
MDmesh | |
STB45N60DM2AG | |
Carretel | |
Corte a fita | |
MouseReel | |
Tipo: | STMicroelectronics |
Configuração: | Único |
Tempo de queda: | 6 ns |
Altura: | 4,6 milímetros |
Comprimento: | 10,4 milímetros |
Produto: | MOSFETs do poder |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de elevação: | 27 ns |
Quantidade do bloco da fábrica: | 1000 |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipo do transistor: | 1 MOSFET do poder do N-canal |
Tipo: | Alta tensão |
Tempo de atraso típico da volta-Fora: | 85 ns |
Tempo de atraso de ligação típico: | 29 ns |
Largura: | 9,35 milímetros |
Peso de unidade: | 0,139332 onças |
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