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STM32L451CET6/D2PAK-3/semicondutores discretos

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STM32L451CET6/D2PAK-3/semicondutores discretos
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Detalhes da embalagem: Padrão/novo/original
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura de funcionamento mínima: - ℃ 55
Temperatura de funcionamento máximo: + ℃ 150
Informação básica
Lugar de origem: China
Marca: STMicroelectronics
Número do modelo: STM32L451CET6
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: D2PAK-3
Tempo de entrega: No estoque
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: Contacte-nos
Descrição de produto

REF02BU/SOIC-8/gestão CI do poder

 

Características

 

    • Projetado para aplicações automotivos e AEC-Q101 qualificou

    • diodo do corpo da Rápido-recuperação

    • Extremamente - baixas carga da porta e capacidade da entrada

    • Baixa em-resistência

    • a avalancha 100% testou

    • Aspereza extremamente alta de dv/dt • Zener-protegido

 

Atributo de produto Valor de atributo
STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-canal
1 canal
600 V
34 A
93 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Realce
AEC-Q101
MDmesh
STB45N60DM2AG
Carretel
Corte a fita
MouseReel
Tipo: STMicroelectronics
Configuração: Único
Tempo de queda: 6 ns
Altura: 4,6 milímetros
Comprimento: 10,4 milímetros
Produto: MOSFETs do poder
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de elevação: 27 ns
Quantidade do bloco da fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo do transistor: 1 MOSFET do poder do N-canal
Tipo: Alta tensão
Tempo de atraso típico da volta-Fora: 85 ns
Tempo de atraso de ligação típico: 29 ns
Largura: 9,35 milímetros
Peso de unidade: 0,139332 onças

 

STM32L451CET6/D2PAK-3/semicondutores discretos 0

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