BSZ097N10NS5ATMA1/TSDSON-8/MOSFET
Ideal para o interruptor de alta frequência
Tecnologia aperfeiçoada para conversores de DC/DC
Produto excelente do Rps da carga x da porta (sobre) (FOM)
N-canal, normallevel
a avalancha 100% testou
chapeamento Pb-livre; RoHS complacente
Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações do alvo
Halogênio-livre de acordo com lEC61249-2-21
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Infineon | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 100 V | |
| 40 A | |
| 8,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,2 V | |
| 28 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 69 W | |
| Realce | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | Infineon Technologies |
| Configuração: | Único |
| Tempo de queda: | 5 ns |
| Transcondutância dianteira - minuto: | 23 S |
| Altura: | 1,1 milímetros |
| Comprimento: | 3,3 milímetros |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de elevação: | 5 ns |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 5000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | 1 N-canal |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora: | 21 ns |
| Tempo de atraso de ligação típico: | 11 ns |
| Largura: | 3,3 milímetros |
| Parte # pseudônimos: | BSZ097N10NS5 SP001132550 |
| Peso de unidade: | 0,001367 onças |
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