SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/semicondutores discretos
Descrição
• Halogênio-livre de acordo com a definição do IEC 61249-2-21
• MOSFET do poder de TrenchFET®
• Complacente a RoHS 2002/95/EC diretivo
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Vishay | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalhes |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| N-canal | |
| Canal 2 | |
| 30 V | |
| 630 miliampères | |
| 480 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 1,4 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 300 mW | |
| Realce | |
| TrenchFET | |
| SI1 | |
| Carretel | |
| Corte a fita | |
| MouseReel | |
| Tipo: | Semicondutores de Vishay |
| Configuração: | Duplo |
| Altura: | 1 milímetro |
| Comprimento: | 2,1 milímetros |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Largura: | 1,25 milímetros |
| Parte # pseudônimos: | SI1900DL-E3 |
| Peso de unidade: | 0,000265 onças |
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